N° de brevet Brevet
EP1900859 COMPOSITE COMPRENANT UN ENSEMBLE DE CRISTAL ACICULAIRE, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, ÉLÉMENT LUMINESCENT, ET CONDENSATEUR
EP1899508 CREUSET POUR LA CRISTALLISATION DE SILICIUM
EP1899509 DISPOSITIF ET PROCEDE POUR LE MAINTIEN D'UNE PRESSION QUASI–ATMOSPHERIQUE DANS UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT
EP1900857 Procédé de fabrication d'une couche mince en nitrure de gallium monocristalline
EP1897978 Procédé de fabrication de substrat de nitrures du groupe III, substrat de nitrures du groupe III, substrat de nitrures du groupe III avec une couche épitaxiale, dispositif à nitrures du groupe III, procédé de fabrication de substrat de nitrures du groupe III avec une couche épitaxiale, et procédé de fabrication de dispositif à nitrures du groupe III
EP1897976 Procédé pour la production d'un monocristal de silicium et de tranches de silicium
FR2905384 PROCEDE DE FABRICATION DE GERMES MONOCRISTALLINS SIMULTANEMENT A LA COULEE DE PIECES MONOCRISTALLINES.
WO2008026931 PROCÉDÉ ET ÉQUIPEMENT POUR LA FABRICATION D'UN SILICIUM MULTICRISTALLIN DE GRADE SOLAIRE À PARTIR DE SILICIUM MÉTALLURGIQUE
EP1895031 PROCEDE DESTINE A PRODUIRE UN MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM
EP1895029 DISPOSITIF POUR PRODUIRE UN MONOCRISTAL DE SEMI–CONDUCTEUR
EP1895028 DISPOSITIF POUR PRODUIRE UN MONOCRISTAL DE SEMI–CONDUCTEUR
EP1895026 PROCEDE DE CROISSANCE D'UN MONOCRISTAL DE SILICIUM ET MONOCRISTAL DE SILICIUM OBTENU PAR CE PROCEDE
EP1895027 PROCÉDÉ PERMETTANT DE FAIRE POUSSER UN CRISTAL UNIQUE DE SILICIUM ET PROCESSUS POUR PRODUIRE UNE TRANCHE DE SILICIUM
EP1895025 Cristal semi–conducteur, et procédé et appareil de production
WO2008023635 SiC À CRISTAL UNIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
EP1888821 GALETTES DE SIC DÉVELOPPÉES EN PAQUETS À FAIBLE DISLOCATION DE PLAN BASAL
EP1888822 MELANGE DE DOPAGE POUR LE DOPAGE DE SEMI–CONDUCTEURS
EP1885918 FILMS AU NITRURE DE GROUPE III DE POLARITE REGULEE ET PROCEDES DE PREPARATION DE TELS FILMS
EP1887109 Monocristal de nitrure d'aluminium
EP1884580 Procédé d'agrandissement de cristal de nitrure de gallium
EP1883719 SUBSTRAT III–N CUBIQUE AUTONOME EN VRAC ET PROCEDE DE FORMATION
WO2008012215 PROCÉDÉ ET DISPOSITIF POUR PRÉPARER UN FRAGMENT DE SILICIUM POLYCRISTALLIN CALIBRÉ DE HAUTE PURETÉ
WO2008013108 processus de fabrication de substrat monocristallin avec angle de déport
EP1882057 STRUCTURE DE SILICIUM TRES RESISTIVE ET PROCEDE DE PREPARATION DE CELLE–CI
WO2008009805 PROCEDE POUR LA CROISSANCE DE NITRURE D' INDIUM
WO2008011022 PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRATS À DURÉE DE VIE DE PORTEURS AMÉLIORÉE
EP1881092 Procédé de fabrication d'une nanostructure à base de nanofils interconnectés, nanostructure et utilisation comme convertisseur thermoélectrique
WO2008008407 MATÉRIAUX SEMICONDUCTEURS À LARGE BANDE
WO2008004424 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE CRISTAL D'AlN, PROCÉDÉ POUR FAIRE CROÎTRE UN CRISTAL D'AlN ET SUBSTRAT DE CRISTAL D'AlN
WO2008005636 CRISTAL DE SiC DE CENT MILLIMÈTRES TIRÉ SUR UN GERME DÉCALÉ
EP1874985 PROCEDE ET SYSTEME DESTINES A LA FORMATION DE CRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM COMPORTANT DES IMPURETES DE DOPAGE UNIFORMEMENT REPARTIES DANS L'ESPACE
EP1874984 METHODE DE FORMATION DE TRANCHES LAMINEES POLYMERES COMPRENANT DIFFERENTS MATERIAUX DE FILM
EP1876269 MONOCRISTAL D'OXYDE, SON PROCEDE DE FABRICATION, ET PLAQUE EN MONOCRISTAL
WO2008001569 SYSTÈME DE FABRICATION D'UN CRISTAL DE SILICIUM UNIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CRISTAL DE SILICIUM UNIQUE AU MOYEN DUDIT SYSTÈME
EP1871927 TRANCHE DE CARBURE DE SILICIUM DE SOIXANTE–QUINZE MILLIMETRES A DEFORMATION, COURBURE ET VARIATION TOTALE D'EPAISSEUR FAIBLES
EP1872388 PROCEDE D'ASSEMBLAGE DE DEUX PLAQUETTES CONSTITUEES DE MATERIAUX SELECTIONNES PARMI DES MATERIAUX SEMI–CONDUCTEURS
EP1871928 PROCEDE DE PRODUCTION DE COUCHES III–N, COUCHES III–N OU SUBSTRATS III–N ET DISPOSITIFS ASSOCIES
WO2007144955 MONOCRISTAL DE NITRURE D'ÉLÉMENT DU GROUPE III ET SON PROCÉDÉ DE CROISSANCE
EP1867759 Equipement de fabrication pour lingot de polycilicone
EP1866465 SYSTEME DE REACTION DESTINE A CREER UNE COUCHE MINCE
EP1867761 CRISTAL UNIQUE DE GALLATE, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE POUR UTILISATION À HAUTE TEMPÉRATURE ET CAPTEUR PIÉZOÉLECTRIQUE POUR UTILISATION À HAUTE TEMPÉRATURE
EP1867760 Procédé de fabrication d'un substrat monocristallin de diamant et le substrat ainsi obtenu
EP1867758 Procédé de fabrication de nanocristaux hexagonaux de diamant
EP1866466 PROCEDE POUR PRODUIRE UNE TRANCHE DE SILICIUM MONOCRISTALLINE A SECTION PRATIQUEMENT POLYGONALE ET TRANCHE DE SILICIUM MONOCRISTALLINE CORRESPONDANTE
EP1866464 PROCEDE DE CROISSANCE A PARTIR D'UN GERME POUR LA PREPARATION DE MONOCRISTAUX DE NITRURE D'ALUMINIUM
WO2007141364 PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE COUCHES MINCES DE CRISTAL COLLOÏDAL ET PRODUIT AINSI OBTENU
WO2007141333 PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF MICROELECTRONIQUE EMETTEUR DE LUMIERE A NANOFILS SEMI–CONDUCTEURS FORMES SUR UN SUBSTRAT METALLIQUE
WO2007143743 SYSTÈME D'ADMINISTRATION EN GRAND VOLUME DE TRICHLORURE DE GALLIUM
EP1865095 Procédé de croissance de cristal de nitrure de gallium
EP1862570 CREUSET POUR LA CROISSANCE DE CRISTAUX
EP1862571 Appareil de controle de la surface d'un bain de fusion dans un procédé de croissance de silicium monocristallin
WO2007135965 PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM
WO2007131343 processus de dopage basse tempÉrature pour dispositifs À galette de silicium
WO2007133025 DISPOSITIF ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE BARRES DE SILICIUM D'UNE GRANDE PURETÉ AU MOYEN DE D'ÉLÉMENTS D'ÂME MIXTES
EP1857574 Dispositif et procédé de croissance de cristaux
WO2007130484 PROCESSUS DE PYROLYSE DIRECTE PERMETTANT D'OBTENIR DES POINTS QUANTIQUES DE GAN
WO2007125914 PROCEDE DE FABRICATION DE CRISTAL DE NITRURE DE GALLIUM ET GALETTE DE NITRURE DE GALLIUM
EP1852526 PROCEDE ET ENSEMBLE D'OUTILS PERMETTANT DE VERIFIER L'ETAT DE CRISTALLISATION DE MACROMOLECULES BIOLOGIQUES
EP1852528 Procédé et appareil pour la croissance en plot d'un monocristal de nitrure d'aluminium
EP1851367 PROCEDE ET DISPOSITIF POUR REALISER DES BLOCS SOLIDIFIES DE FAÇON ORIENTEE A PARTIR DE MATERIAUX SEMI–CONDUCTEURS
EP1851368 APPAREIL ET PROCEDE DE CROISSANCE DE CRISTAUX
EP1851369 EMETTEURS DE LUMIERE EN NITRURE DE GALLIUM SUR DIAMANT
WO2007122833 PROCÉDÉ DE MESURE DE LA DISTANCE ENTRE UN RÉFLECTEUR DE RÉFÉRENCE ET UNE SURFACE FONDUE, PROCÉDÉ DE CONTRÔLE DE LA POSITION DE LA SURFACE FONDUE EN UTILISANT CELUI–CI ET APPAREIL DE PRODUCTION DE CRISTAUX SIMPLES DE SILICIUM
WO2007123169 PROCÉDÉ ET APPAREIL DE PRODUCTION DE SILICIUM GRANULAIRE
WO2007123735 PROCÉDÉ DE DOPAGE RÉGLABLE DE CRISTAUX MASSIFS DE NITRURE D'ALUMINIUM
WO2007123093 SUBSTRAT DE SAPHIR MONOCRISTALLIN
EP1849892 Four pour fusion d'éléments non métallique
EP1848843 PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LINGOTS DE SILICIUM À SOLIDIFICATION DIRECTIONNELLE
FR2900275 PROCEDE DE FORMATION D'UNE PORTION MONOCRISTALLINE A BASE DE SILICIUM
WO2007119433 COUCHE DE NITRURE DE GROUPE III–V ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
EP1846595 DEPOT SELECTIF DE FILMS CONTENANT DU SILICIUM
WO2007117894 FOUR DE TRAITEMENT THERMIQUE, SYSTÈME DE DISTRIBUTION DE GAZ ASSOCIÉ ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS DE DISTRIBUTION D'UN GAZ DE TRAITEMENT
WO2007117576 COLLECTEURS DE GAZ S'UTILISANT PENDANT LA FORMATION D'UN FILM ÉPITAXIAL
WO2007117583 OUTIL COMBINÉ POUR FORMATION DE COUCHE ÉPITAXIALE
WO2007116315 PROCEDE DE FABRICATION D'UN MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM
EP1842940 Procédé de préparation d'un matériau du type III–nitrure sur un substrat en silicium
EP1842942 Substrat cristallin en GaN
EP1842941 Procédé de formation d'un matériau de nitrure de groupe III sur un substrat en silicone
EP1841902 PROCEDE POUR PRODUIRE DES SUBSTRATS DE GAN OU DE ALXGA1–XN ORIENTES DANS LE PLAN C
EP1842943 Composite de nanofil et son procédé de préparation
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